Mobilidade anisotrópica no semicondutor 6H-SiC
Palavras-chave:
Semicondutores, Mobilidade eletrônica, Carbeto de silício, 6H-SICResumo
Neste trabalho, foi deduzido teoricamente a velocidade de deriva, o deslocamento e a mobilidade dos portadores de carga em um semicondutor de grande interesse tecnológico atual, o semicondutor 6H-SiC. A caracterização e o conhecimento destas propriedades são de extrema importância para a fabricação de componentes eletrônicos pela indústria de semicondutores. Para o estudo aqui realizado, foi utilizada uma equação diferencial quântica de transporte. A aplicação se deu no semicondutor 6H-SIC dopado tipo n levando-se em consideração variações da temperatura (de 0º a 100ºC) e da intensidade e direção do campo elétrico aplicado no semicondutor. O principal resultado obtido é que a mobilidade eletrônica é maior quando o campo elétrico é aplicado na direção perpendicular ao eixo c da rede cristalina do semicondutor 6H-SiC.
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