Mobilidade anisotrópica no semicondutor 6H-SiC

Autores

  • Clóves Gonçalves Rodrigues Pontifícia Universidade Católica de Goiás (PUC)
  • Ricardo Tadeu Ferracioli Universidade Paulista (UNIP)

Palavras-chave:

Semicondutores, Mobilidade eletrônica, Carbeto de silício, 6H-SIC

Resumo

Neste trabalho, foi deduzido teoricamente a velocidade de deriva, o deslocamento e a mobilidade dos portadores de carga em um semicondutor de grande interesse tecnológico atual, o semicondutor 6H-SiC. A caracterização e o conhecimento destas propriedades são de extrema importância para a fabricação de componentes eletrônicos pela indústria de semicondutores. Para o estudo aqui realizado, foi utilizada uma equação diferencial quântica de transporte. A aplicação se deu no semicondutor 6H-SIC dopado tipo n levando-se em consideração variações da temperatura (de 0º a 100ºC) e da intensidade e direção do campo elétrico aplicado no semicondutor. O principal resultado obtido é que a mobilidade eletrônica é maior quando o campo elétrico é aplicado na direção perpendicular ao eixo c da rede cristalina do semicondutor 6H-SiC.

Biografia do Autor

Clóves Gonçalves Rodrigues, Pontifícia Universidade Católica de Goiás (PUC)

Nascido em Goiânia. Bacharel em Física pela UFG (1993), Mestre em Física pela UFG (1995), Doutor em Ciências pela UNICAMP (2001), Pós-Doutoramento em Física da Matéria Condensada pela UNICAMP (2005), Pós-Doutoramento Sênior em Física da Matéria Condensada pela UNICAMP (2012-2013). Professor Titular da Escola Politécnica da Pontifícia Universidade Católica de Goiás (PUC-GO). Professor e orientador de mestrado do Programa de Pós-Graduação Stricto Sensu em Engenharia de Produção e Sistemas da PUC-GO. Membro efetivo da Sociedade Brasileira de Física e da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais. Coordenador do curso de Licenciatura em Física (2007-2008), membro da comissão de vestibular (2010-2012), coordenador do laboratório de Física (2014-2016) e do Núcleo de Pesquisa em Física da PUC-GO. Consultor ad hoc das Universidades Católicas do Centro Oeste, do Fundo de Amparo à Pesquisa do Estado de Goiás (FAPEG), e do Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq). Referee de revistas internacionais. Vários projetos de pesquisa com recursos aprovados pelo CNPq, pela Secretaria de Estado de Ciência e Tecnologia de Goiás e pela FAPEG. Pesquisador colaborador junto ao Grupo de Mecânica Estatística de Sistemas Dissipativos da UNICAMP (2001-2018). Recebeu no ano de 2016 o Diploma do Mérito Científico concedido pela Pontifícia Universidade Católica de Goiás. Diversas participações em bancas examinadoras de trabalhos de conclusão de curso, especialização, mestrado e doutorado. Orientador de várias monografias de estudantes de especialização, de iniciação científica, de conclusão de curso e de mestrado. Vários trabalhos apresentados em conferências científicas. Autor de vários artigos publicados em revistas científicas nacionais e internacionais como: Advanced Quantum Technologies; Arithmós; Applied Physics Letters; Brazilian Journal of Physics; Brazilian Journal of Technology; Brazilian Journal of Business; Brazilian Journal of Development; Chinese Journal of Physics; Chinese Physics Letters; Condensed Matter; Czechoslovak Journal of Physics; Estudos;European Physical Journal: Applied Physics; European Physical Journal B; Fragmentos de Cultura; História da Ciência e Ensino: Construindo Interfaces; Indian Journal of Physics; International Journal of Modern Physics B; Jornal Brasileiro de Fonoaudiologia; Jornal Eletrônico de Ensino e Pesquisa de Matemática; Journal of Applied Physics; Journal of Luminescence; Journal of Materials Science; Journal of Physics - D (Applied Physics); Journal of Physics: Condensed Matter; Langmuir; Materials Chemistry and Physics; Materials Science Forum; Materials Research; Materials Science and Engineering B-Advanced Functional Solid-State Materials; Microelectronics Journal; Modern Physics Letters B; Physica B: Condensed Matter; Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures; Physica Status Solidi (b); Physical Review E; Physicae; Physicae Organum; Physics Journal; Physics of Fluids; Physics of the Solid State; Pramana - Journal of Physics; Research & Reviews: Journal of Physics; Revista Brasileira de Ensino de Física; Revista Matéria; Revista Interfaces Científicas - Exatas e Tecnológicas; Revista Mexicana de Física; Revista Tecnológica (UEM); Semiconductors; Solid State Communications; TECNIA - Revista de Educação, Ciência e Tecnologia do IFG; Teoreticheskaia i Matematichaskaia Fizika; Theoretical and Mathematical Physics; Transport Theory and Statistical Physics; Virtual Journal of Ultrafast Science.

Ricardo Tadeu Ferracioli , Universidade Paulista (UNIP)

Engenheiro Eletricista graduado pela UFMS, pós graduado pela UFRJ em Gestão Empresarial e pela UNILINS/SP em Gestão Sucroalcooleira, especializado pelo Centro Federal de Educação Tecnológica em Automação Industrial e Mestre pela PUC-GO em Engenharia de Produção e Sistemas, Experiência gerencial nas áreas de manutenção e projeto em empresas de grande porte em
segmentos diversos.

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Publicado

30.06.2020

Como Citar

Gonçalves Rodrigues, C., & Tadeu Ferracioli , R. (2020). Mobilidade anisotrópica no semicondutor 6H-SiC. Revista Tecnia, 5(1), 211–238. Recuperado de https://periodicos.ifg.edu.br/tecnia/article/view/988

Edição

Seção

Ciências Exatas e da Terra